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“自刻蝕”新方法實現(xiàn)低維光伏材料精密制備

2026年01月16日 11:40:18 來源:科技日報 作者:吳長鋒

  科技日報合肥1月15日電(記者  吳長鋒)15日,記者從中國科學技術(shù)大學獲悉,該校張樹辰特任教授團隊聯(lián)合美國普渡大學、上?萍即髮W的研究團隊,首次在二維離子型軟晶格材料中,實現(xiàn)了面內(nèi)可編程、原子級平整的“馬賽克”式異質(zhì)結(jié)可控構(gòu)筑,為低維光伏材料的集成化與器件化開辟了全新路徑。相關(guān)成果15日在線發(fā)表于國際學術(shù)期刊《自然》。

  在半導體領(lǐng)域,能夠在材料平面內(nèi)橫向精準構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu),是探索新奇物性、研發(fā)新型器件及推動器件微型化的關(guān)鍵。然而,以二維鹵化物鈣鈦礦為代表的離子型軟晶格半導體,其晶體結(jié)構(gòu)柔軟且不穩(wěn)定,傳統(tǒng)光刻加工等技術(shù)往往因反應過于劇烈而破壞材料結(jié)構(gòu),難以實現(xiàn)高質(zhì)量、可控外延的橫向異質(zhì)集成。

  面對這一挑戰(zhàn),研究團隊提出并發(fā)展了一種引導晶體內(nèi)應力“自刻蝕”新方法。他們設計了一種溫和的配體—溶劑微環(huán)境,能夠選擇性地激活并利用這些內(nèi)應力,引導單晶在特定位置發(fā)生可控的“自刻蝕”,從而形成規(guī)則的方形孔洞結(jié)構(gòu)。隨后,團隊通過快速外延生長技術(shù),將不同種類的半導體材料精準回填,最終在單一晶片內(nèi)部構(gòu)筑出晶格連續(xù)、界面原子級平整的高質(zhì)量“馬賽克”異質(zhì)結(jié)。

  “這種全新的加工方法,不是通過‘拼接’不同材料,而是在同一塊完整晶體中,引導它自身進行精密的‘自我組裝’!睆垬涑秸f,“這意味著,未來我們有可能在一塊極薄的材料上,直接‘生長’出密集排列的、能發(fā)出不同顏色光的微小像素點,為高性能發(fā)光與顯示器件的發(fā)展,提供一種全新的備選材料體系和設計思路!

[編輯: 王姝]
(本文來源:科技日報)
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